每經(jīng)記者｜楊建    每經(jīng)編輯｜何建川    

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近日，科技部高新司在北京組織召開“十二五”期間863計(jì)劃重點(diǎn)支持的“第三代半導(dǎo)體器件制備及評價(jià)技術(shù)”項(xiàng)目驗(yàn)收會。通過項(xiàng)目的實(shí)施，我國在第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵的碳化硅和氮化鎵材料、功率器件、高性能封裝以及可見光通信等領(lǐng)域取得突破。

技術(shù)測市

周一大盤低開低走，大幅殺跌，成交量萎縮約8%；個(gè)股板塊普跌，科技股延續(xù)低迷表現(xiàn)，多股跌停，特高壓、燃?xì)獍鍓K逆勢走強(qiáng)；收盤指數(shù)皆中陰，滬指下跌1.21%，創(chuàng)業(yè)板指下跌2.41%。

有私募人士表示，深成指90分鐘線、120分鐘線和日線全部再次鈍化，鈍化是形成背離的前提；深成指7月份以來形態(tài)上走成了明顯的下降楔形，楔形通常出現(xiàn)在大級別調(diào)整浪的末端；從浪型上看，指數(shù)處于某級別調(diào)整浪5浪5的末端。

從擇時(shí)九轉(zhuǎn)序列來看，各指數(shù)120分鐘明日下午低9，日線明日低8。綜上，盤面看似兇險(xiǎn)，但轉(zhuǎn)機(jī)也在醞釀；明后兩日是重要的日子，尤其是明天下午，是容易產(chǎn)生轉(zhuǎn)折的時(shí)點(diǎn)。策略上，5浪的底，適合抄底。關(guān)注道達(dá)號微信公眾號，微信搜索“道達(dá)號”或“daoda1997”，為你呈現(xiàn)市場熱點(diǎn)。

熱點(diǎn)板塊

近日科技部高新司在北京組織召開“十二五”期間863計(jì)劃重點(diǎn)支持的“第三代半導(dǎo)體器件制備及評價(jià)技術(shù)”項(xiàng)目驗(yàn)收會。通過項(xiàng)目的實(shí)施，我國在第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵的碳化硅和氮化鎵材料、功率器件、高性能封裝以及可見光通信等領(lǐng)域取得突破。

中國開展SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比較晚，與國外相比水平較低，阻礙國內(nèi)第三代半導(dǎo)體研究進(jìn)展的重要因素是原始創(chuàng)新問題。隨著國家對第三代半導(dǎo)體材料的重視，近年來，我國半導(dǎo)體材料市場發(fā)展迅速。其中以碳化硅與氮化鎵為主的材料備受關(guān)注。

有市場人士認(rèn)為，該項(xiàng)目取得的進(jìn)展，顯示出我國在半導(dǎo)體前沿材料的研究方面取得了突破進(jìn)展，有助于支撐我國在節(jié)能減排、現(xiàn)代信息工程、現(xiàn)代國防建設(shè)上的重大需求。近年來，國家和各地方政府陸續(xù)推出政策和產(chǎn)業(yè)扶持基金發(fā)展第三代半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)業(yè)：地方政策在2016年大量出臺，福建、廣東等27個(gè)地區(qū)出臺第三代半導(dǎo)體相關(guān)政策近30條。

考慮到當(dāng)前國內(nèi)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資基本上進(jìn)入了國家主導(dǎo)的投資階段，2014年大基金的成立開啟了一輪國內(nèi)投資半導(dǎo)體的熱潮，無論是政府資金，還是產(chǎn)業(yè)資本都紛紛進(jìn)入這個(gè)領(lǐng)域。隨著碳化硅和氮化鎵材料研發(fā)取得進(jìn)展，第二期大基金的布局焦點(diǎn)應(yīng)該會向上游的原材料和設(shè)備傾斜更多的資源，尤其是涉及第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵和碳化硅這樣的上游材料公司有機(jī)會受到資金青睞。關(guān)注道達(dá)號微信公眾號，微信搜索“道達(dá)號”或“daoda1997”，為你呈現(xiàn)市場熱點(diǎn)。

板塊點(diǎn)將

海特高新：

中泰證券研報(bào)指出，化合物半導(dǎo)體芯片進(jìn)展順利，年內(nèi)有望部分量產(chǎn)，技術(shù)研發(fā)方面，公司主要從事砷化鎵、氮化鎵、HBT及光電產(chǎn)品的技術(shù)研發(fā)，上半年多項(xiàng)技術(shù)能力獲得實(shí)現(xiàn)，成功研發(fā)多款具備自主知識產(chǎn)權(quán)的核心集成電路技術(shù)，其中部分研發(fā)產(chǎn)品處于試生產(chǎn)階段且良率達(dá)到基本預(yù)期水平，具備初步量產(chǎn)能力。

能力建設(shè)方面，公司積極推進(jìn)產(chǎn)線建設(shè)工作；上半年6寸第二/三代半導(dǎo)體集成電路芯片生產(chǎn)線通過環(huán)評。根據(jù)公司官網(wǎng)披露，產(chǎn)線建設(shè)規(guī)模：砷化鎵半導(dǎo)體芯片（6寸）40000片/年，氮化鎵半導(dǎo)體芯片（6寸）30000片/年。項(xiàng)目總投資14.2億元，其中環(huán)保投資4076萬元。

市場方面，上半年公司積極推廣射頻芯片、光電芯片等產(chǎn)品，目前與多家客戶達(dá)成合作并通過部分客戶產(chǎn)品驗(yàn)證，產(chǎn)品可靠性獲得認(rèn)可。公司2018年經(jīng)營計(jì)劃：全力推進(jìn)芯片項(xiàng)目進(jìn)展，提高技術(shù)工藝和產(chǎn)品良率，做好市場開拓和實(shí)現(xiàn)部分產(chǎn)品量產(chǎn)任務(wù)。

三安光電：

廣發(fā)證券研報(bào)指出，砷化鎵半導(dǎo)體的市場規(guī)模近百億美元，隨著4G時(shí)代的發(fā)展和5G及物聯(lián)網(wǎng)的崛起，多模多頻的砷化鎵微波功率器件需求量將大幅提升；氮化鎵半導(dǎo)體在新能源、智能電網(wǎng)、4C產(chǎn)業(yè)及物聯(lián)網(wǎng)的應(yīng)用逐步拓展，潛在市場規(guī)模達(dá)94億美元；碳化硅功率半導(dǎo)體瞄準(zhǔn)600V以上的市場，市場容量有望超過20億美元；政策積極推進(jìn)集成電路的國產(chǎn)化，集成電路產(chǎn)業(yè)基金投資三安光電推動化合物半導(dǎo)體國產(chǎn)替代加速。

三安光電作為國內(nèi)LED芯片龍頭，具有強(qiáng)大的技術(shù)壁壘，在專利、客戶和產(chǎn)品方面遠(yuǎn)遠(yuǎn)領(lǐng)先于其他國內(nèi)廠商，有望受益于產(chǎn)能轉(zhuǎn)移和行業(yè)集中度提升；化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，公司在集成電路產(chǎn)業(yè)基金的助力下切入化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，并攜手環(huán)宇進(jìn)行持續(xù)布局，2017年公司已布局完成6寸的GaAs和GaN部分產(chǎn)線，產(chǎn)品獲得部分客戶認(rèn)證通過并進(jìn)入小量產(chǎn)階段，達(dá)產(chǎn)后三安有望成為全球具有競爭力的半導(dǎo)體廠商。

（本文內(nèi)容僅供參考，不構(gòu)成投資建議。投資者據(jù)此入市，風(fēng)險(xiǎn)自擔(dān)。）